エルピーダメモリは、米Rambus（ラムバス）社のXDRアーキテクチャを採用した業界最速のDRAMである512メガビット4.8GHz動作の「EDX5116ADSE-5E-E」のサンプル出荷を12月に開始すると発表した。

　XDR（Extreme Data Rate）DRAMは2006年に3.2GHzの動作速度を実現し、ソニーのPlayStation3に採用された。主流のDDR（ダブルデータレート）2の技術では動作速度が倍になるまで3年以上かかり、クロック周波数が1年半から2年で倍になるプロセッサと速度差が拡大し続ける問題を抱えてきた。プロセッサはメモリ応答の待ち時間に処理できる仕事を増やすためにマルチコアとマルチスレッド対応を進めてきたが、ハイビジョン映像や3Dアニメーション、データベースなどの領域ではメモリの高速動作とデータ伝送能力の高さが重要になる。

　新開発の4.8GHz XDR DRAMは、8バンク構成（×16、×8、×4プログラマブル）で、×16では9.6ギガバイト/秒のデータ転送を可能にする。このXDR RAMの動作速度と転送速度は、現行のDDR2 DRAM-800MHzの性能の6倍に相当する。4.8GHz XDR DRAMは70ナノメーターのプロセス技術で製造され、104ボールのFBGAパッケージを採用している。XDR DRAMの技術は、クロック1サイクルあたり8ビットを転送するオクタルデータレート技術（ODR）、クロック位相に合わせてデータタイミングをチップ上で調整する回路技術などにより、600MHzのクロックでも4.8GHz動作を可能にしている。エルピーダメモリは、2008年4月に4.8GHz XDR DRAMの量産を開始する計画。