米IR社、両面放熱パッケージのオーディオ用デジタルアンプ向けパワーMOSFETを開発

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DNニュース

2004年10月07日

米IR社、両面放熱パッケージのオーディオ用デジタルアンプ向けパワーMOSFETを開発

パワーMOSFET「IRF6665」

　米International Rectifier社は、中電力のD級デジタルアンプ向けのパワーMOSFET「IRF6665」を開発し、サンプル出荷を開始した。

　半導体チップをD級アンプ用に最適化し、DirectFETパッケージを採用したため、端子の寄生インダクタンスを低減。これにより、スイッチング特性が向上し、EMIノイズを出しにくくなった。また、ヒートシンク（冷却器）を使わずに、8Ωの負荷に対し100Wの動作が可能で、ヒートシンク不要のために、回路を小型化でき、柔軟性の高いレイアウトができる。

　DirectFETは、金属缶構造の採用で、プリント回路基板に熱を放散させ、MPUの熱問題を解消した同社独自の両面放熱パッケージ。

　同デバイスは、耐圧100V、内部抵抗53mΩ、最大ドレイン電流は19A。効率、全高調波歪み（THD）、電力密度などオーディオ性能を向上させるために最適化している。製品用途は、携帯機器から業務用アンプ、楽器、車載用以外にも家庭用のマルチメディア・システムなど広範囲に適している。

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