45nm間隔の1次元配列アルミナナノホールの形成とコバルト充填に成功

Design News（US） | Design News(China)

無償配布申し込み・変更

Email Newsletter申し込み


DNニュース

2005年06月27日

45nm間隔の1次元配列アルミナナノホールの形成とコバルト充填に成功

　山形富士通、富士通研究所、神奈川科学技術アカデミーは、アルミナに形成されるnmサイズの細孔(ナノホール)を1次元的(線状)に配列させる技術を開発した。45nm間隔のパターンの凹部のみに陽極酸化アルミナナノホールを1次元的に形成し、ホール内部に磁性材料であるコバルトの充填に成功した。各ナノホールの磁性体に1ビットを記録することで、超高密度記録媒体の実現が可能になるという。

　アルミニウムを陽極酸化したアルミナは、ナノホールが形成される。このナノホールに磁性金属を充填すれば、非磁性のアルミナで区切られたパターンドメディアによる垂直磁気記録の実現が期待できる。しかし、自己組織化的に形成されるナノホールは、蜂の巣状(六方細密構造)となるので、円周方向に記録再生を行う磁気ディスクには適していなかった。

　同3組織は、アルミニウム表面に線状の凹凸のパターンを設けてからナノホールを作ることで、アルミナナノホールを1次元的に配列させることに成功した。今回の研究では、45nm間隔のアルミナナノホールに、磁気記録用のコバルト充填も行った。アルミナナノホールを円周状に形成すれば、1つの磁性体に1ビットを記録するディスク型の超高密度記録媒体を実現できる。

　今後は、25nm間隔のパターンを利用するなどして技術を発展させ、1平方インチ当たり1Tビットの記録密度を目指す基礎研究を行う。

　なお、この技術の詳細は、ロシアのモスクワで開催中(6月25日～30日)のモスクワ国際磁性学会(MISM 2005、Moscow International Symposium on Magnetism 2005)で発表された。

アルミナナノホール(左半分：1次元配列した状態、右半分：配列させていない状態)


一次元的に並んだアルミナナノホール
(a)　凹部分のみにナノホールが形成される(模式図)	(b)　実際に一次元的に並んだナノホール (150ナノメートル間隔のパターンを使用)

詳　　細：富士通(プレスリリース)

　　　　　　山形富士通

　　　　　　富士通研究所

　　　　　　神奈川科学技術アカデミー