室温で1.55μm帯の光を発振するアンチモン系量子ドットによる面発光レーザー

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DNニュース

2005年08月08日

室温で1.55μm帯の光を発振するアンチモン系量子ドットによる面発光レーザー

　
　情報通信研究機構(NICT)は、室温で1.55μm帯の光を発振するアンチモン系量子ドットによる面発光レーザーを開発した。これにより、従来あまり用いられなかったアンチモン系化合物という新素材と、量子ドット構造作製技術が、面発光レーザーの長波長化に有効であることを示せた。

　光通信波長1.55μm帯で動作する、低コストかつ量産可能な面発光レーザーが注目されている。ただし従来技術では、同波長帯で発光動作する材料をガリウム砒素(GaAs)基板上で作製することが難しかった。

　NICTは、活性層としてアンチモン化合物半導体であるイリジウム・ガリウム・アンチモン(InGaSb)で構成される量子ドット構造を用い、光通信用面発光レーザーで波長1.55μm帯の動作実証に成功した。さらに、このアンチモン系量子ドットを高密度でGaAs基板上に作製する技術も確立した。その結果、多層積層反射鏡による微小共振器内に、高密度アンチモン系量子ドットを少ない工程数で作り込むことを可能とした。

　｢この形成手法は容易な結晶成長方法であるため、製造コストと作製エネルギーの低減にも効果的である。光通信波長1.55μm帯で動作する面発光レーザーを、安価に製造できる可能性を示した｣(NICT)

　NICTは、9月7日から11日に徳島大学常三島キャンパス(徳島県徳島市)で開催される第66回応用物理学会学術講演会と、9月12日から15日に神戸国際会議場(兵庫県神戸市)で開催されるInternational Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM) 2005において、研究成果に関する発表を行う予定だ。

開発したアンチモン系量子ドット面発光レーザーの構造(左)、アンチモン系量子ドット(右)

アンチモン系量子ドット面発光レーザーからの光励起による波長1.55ミクロンの発振スペクトル

参　　考：

情報通信研究機構(プレスリリース)