レジスト単独に比べ10倍高いエッチング耐性を実現する保護膜形成プロセス

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DNニュース

2005年12月02日

レジスト単独に比べ10倍高いエッチング耐性を実現する保護膜形成プロセス

　
　理化学研究所(理研)と東京応化工業は、1回の塗布で高いエッチング耐性を持つ保護膜を形成できるナノコーティング材料と対応プロセスを共同開発した。ウェット型ナノコーティング方式を用い、コーティング剤を1回塗布するだけで保護膜が作れる。フォトレジスト単独に比べ10倍以上高いエッチング耐性を持ち、既存の半導体プロセスにも組み込める。

　半導体製造には、光リソグラフィで半導体基板に微細加工を施す。この際、基板にフォトレジストを塗布して露光し、フォトレジストで保護された部分と保護されていない部分からなるパターンを形成する。最後に反応性ガスを使ってレジストで保護されていなかった部分を選択的にエッチングし、基板上にパターンを作る。

　ただしフォトレジストのエッチング耐性は比較的低く、下に隠れた基板まで削り取られてしまうため、あらかじめフォトレジスト層を厚くしておく。しかし、アスペクト比の高いレジストパターンにはプロセス中にパターンが崩れる問題があるため、低アスペクト比でも高いエッチング耐性を示すレジストパターンの開発が重要な技術課題となっていた。

　理研と東京応化工業は、レジストパターンを厚さ1nm程度の保護膜で被覆し、低アスペクト比のレジストパターンに十分なエッチング耐性を付与する手法を開発した。これにより、パターン倒れの問題を防ぐと同時に、パターンの微細度を失わず十分なエッチング耐性を持たせることに成功した。新開発の手法は、半導体プロセスで頻繁に利用される回転型塗布方式(スピンコーティング)を採用したため、現在の半導体プロセスにそのまま組み込める。コーティングプロセスそのものは数分で済む。

　東京応化工業では、この材料とプロセスを｢TSARシリーズ｣として2006 年秋に製品化し、半導体メーカーに安定供給できる製品の事業化を目指すとしている。

開発したコーティング剤

連絡先：

東京応化工業先端材料開発一部部長(兼理研次世代ナノパターニング研究チームチームリーダー)小野寺純一
TEL：0467-75-9667 FAX：0467-75-3281

開発企画室リーダー技師羽田英夫
TEL：0467-75-9830 FAX：0467-75-3281

独立行政法人理化学研究所知的財産戦略センター
次世代ナノパターニング研究チーム副チームリーダー藤川茂紀
TEL：048-462-1111 FAX：048-462-5490

参　　考：

東京応化工業(プレスリリース)[PDF]

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