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伊仏合弁のSTMicroelectronics社と米Intel社は、NOR型フラッシュメモリーとRAMをMCP(Multi Chip Package)技術でワンパッケージにした携帯電話機向けメモリー・サブシステムの仕様を共通化することで合意した。携帯電話機メーカーは2社から互換性のあるMCPのメモリーを調達できるようになる。
今回の合意に基づき両社は、512MビットのNOR型フラッシュメモリーと128MビットSDRAMあるいは512MビットNOR型フラッシュメモリーと128Mビット擬似SRAMを積層してワンパッケージにした2製品を、2006年第1四半期からそれぞれ量産出荷する。2006年後半以降には、65nm技術で製造した1GビットNOR型フラッシュメモリーを積層したサブシステムも商品化する計画だ。
両社はこれまで、90nmプロセスの多値セル技術を使ったフラッシュメモリーの設計で協力関係にある。90nm技術によるNOR型フラッシュメモリーは読み出し速度が最大133MHzと130nm品に比べ2倍以上高速で、書き込み速度は600kバイト/秒〜1Mバイト/秒と130nm品に比べ4倍以上速い。
NOR型フラッシュメモリーはそれぞれ自社工場で生産する。SDRAMや擬似SRAMと組み合わせてワンパッケージにしたサブシステムは、両社の製品でピン配置などのハードウエアと、データを読み書きするために必要なソフトウエアの互換性を保つ。これによって、携帯電話機メーカーは両社のいずれのサブシステムを使っても、実装するプリント基板の設計や仕様など変更のわずらわしさがない。
両社は2006年中にもサンプル出荷が始まると見られる65nm技術を使ったNOR型フラッシュメモリー、およびそれを実装したサブシステムに関しても、新しい機能やインターフェース、パッケージなどについて共同で定義していく計画だ。
なお、携帯型オーディオプレーヤなどに搭載されるデータストレージ用途のNAND型フラッシュメモリーについては、Intel社が米Micron社と、STMicroelectronics社が韓国Hynix Semiconductor社とそれぞれ提携関係にあるが、今回の合意に関してそれぞれ、NAND型フラッシュメモリーの提携先とは関係ない、と述べた。
調査会社によると、携帯電話機向けNOR型フラッシュメモリー出荷の世界シェアはIntel社とSTMicroelectronics社の2社で40％以上となっている。
(馬本 隆綱)
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