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| 2005年12月09日 |
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ハロゲンフリーの300mmウェーハ対応CMP研磨パッド
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東レは、半導体製造時の化学的機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)処理に使う塩素(ハロゲン)を含まない300mmウェーハ対応CMP研磨パッドを開発した。従来品に比べ平坦化特性に優れる上、ウェーハ表面の研磨傷(マイクロスクラッチ)の発生を大きく低減できる。2006年1月に出荷を開始する予定だ。
一般的にCMP研磨パッドは、微細な多孔構造を持つ研磨シートと、クッションシートの2層構造を持つ。現在、塩素を含むポリウレタンに硬質のマイクロバルーンを分散させて多孔構造を形成し、これを研磨シートとして用いる。クッションシートには、発泡体を使用した製品が普及している。300mmウェーハなどに対応した最先端の半導体工場では、研磨パッドの大型化だけでなく、デバイス微細化に応じた平坦化特性の向上や、研磨傷の低減が求められる。
新たに開発したCMP研磨パッドはマイクロバルーンを使わず、独立気泡構造を持つ新開発のウレタン系ナノ分散コンポジットポリマーを研磨シート材に採用した。さらに、非多孔質の高耐久性エラストマーをクッションシートに用いたことで、従来品よりも優れた平坦化特性を実現した。この研磨シート材が研磨傷発生の主要因と考えられるスラリー凝集の防止効果を持ち、硬いマイクロバルーンを使用していないことから、研磨傷の大幅低減にも成功した。
従来品が研磨シートに塩素を含んでいるのに対し、新開発品はポリマーナノ分散技術の適用によりハロゲンフリー化を達成できた。同社では、グリーン購入を推進する半導体各社への導入働きかけを強めるとしている。
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連絡先 ：
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東レ 広報室
東京：03-3245-5178 大阪：06-7688-3085
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参 考 ： |
東レ(プレスリリース)
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