印刷法によりメモリー素子をプラスチック基板上に作製する技術

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DNニュース

2005年12月20日

印刷法によりメモリー素子をプラスチック基板上に作製する技術

　
　産業技術総合研究所(産総研)の光技術研究部門有機半導体デバイスグループは、生体高分子材料を適用して印刷法により、プラスチック基板上に強誘電性電界効果トランジスタ(FeFET)型のメモリー素子を作製する技術の開発に成功したと発表した。この技術は次世代ディスプレイとして期待されているフレキシブルディスプレイへの応用が期待されている。

　フレキシブルデバイスの作製に高温加工が使用できず、また、大量生産が要求されるているため、印刷法による生産が検討されている。これまでに、表示部や薄膜トランジスタ(TFT)回路部などを印刷法で作製することが検討されているが、これらに加え、メモリー機能を導入すれば、低消費電力化することができ、携帯情報端末として普及すると期待されている。

　産総研の研究グループは、2本鎖のDNAやαへリックスたんぱく質などの棒状らせん構造を持つ生体高分子材料に分子構造制御を行ったところ、優れた強誘電性メモリー機能を発現することを見出した。この材料を利用し均一に強誘電体薄膜を塗布する方法で検討したところ、印刷によりメモリー素子を作製する技術を開発し10日間以上のメモリー保持特性を示した。

　今後この成果をもとに、産総研では集積化技術の開発に取り組み、より大容量のメモリー素子にする技術の開発だけでなく、表示デバイスへの組み込み技術の開発などにも取り組んでいくとしている。

プラスチック基板上に印刷で作製したメモリ

連絡先：

産業技術総合研究所広報部　広報業務室　柳林　毅
TEL：029-862-6216 FAX：029-862-6212　E-mail：presec@m.aist.go.jp

参　　考：

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