薄膜技術を用いLTCC多層配線基板に20μmピッチの配線を形成

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DNニュース

2006年03月22日

薄膜技術を用いLTCC多層配線基板に20μmピッチの配線を形成

　
　KOAは、低温焼成セラミックス(LTCC)多層配線基板の表面に20μmピッチの微細配線を形成することに成功した。薄膜技術とリソグラフィ技術を用いて、配線パターン形成に加えて、ニッケルと金めっき層による配線表面処理も実施した。

　LTCC多層配線基板への配線は、一般に厚膜技術を用いたスクリーン印刷法で形成する。配線ピッチは100～120μmで、小型化を求められる携帯電話機などの半導体実装に用いられるビルドアップ多層配線板やフレキシブル配線板でも、最小配線ピッチはそれぞれ50～100μmと50～60μmにとどまる。

　KOAは薄膜技術の適用で、パターンピッチ20μmの微細配線を形成した。詳細な内容については、東京都千代田区御茶ノ水で開催中の第20回エレクトロニクス実装学会講演大会で発表する。

　　　　　

連絡先：

経営管理イニシアティブ総務センター
0265-70-7171

参　考：

KOA(プレスリリース)[PDF]