セイコーエプソンと富士通は、2005年6月から共同開発を進めてきたFRAMの次世代技術において、メモリコアの製膜・加工・評価技術を確立したと発表した。この共同開発では、新たな強誘電体としてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT:PbZrTiO)の分極現象をデータの記憶保持に活用し、従来の4倍の集積度、従来の3倍以上の書き換え速度、100兆回以上の書き換え回数の信頼性をもつ世界最高性能のメモリコアのプロセス技術を実現した。

　FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：強誘電RAM)は、強誘電体膜をデータ保持用のキャパ下に利用した不揮発性メモリで、電源を切っても内容を保持し、微弱電力で高速に読み書きできる特性をもつ。開発したプロセスでは、CMOSロジックの製造工程に強誘電体工程を追加して対応でき、量産にも適した構造を実現した。両社はこの成果をもって共同研究を終了する。

　セイコーエプソンは、この開発成果を低消費電力CMOS技術と組み合わせ、電池駆動の携帯機器向けの混載LSIの製品化を目指す。また、富士通は今後量産技術の開発を進め、FRAMの特性を活かせるセキュリティ市場向け製品やFRAM内蔵マイコンによる新たな市場創出に取り組む計画。