昭和電工は、青色、白色LEDなど窒化ガリウム系化合物半導体結晶の新しい製造プロセス「ハイブリッドPPD法」を開発した。同プロセスは、従来技術では困難だった4インチ(約100mm)の大口径基板によるLED素子の量産を実現するだけでなく、青色LEDの出力も世界トップクラスにまで高められる。

　同社では、千葉事業所内に新プロセスを用いた4インチ基板のLED製造設備を新規導入し、現在月産3,000万個の青色LEDの生産能力を2007年末までに月産1億個に引き上げる。また高出力品の販売も07年中に開始する計画だ。

　今回開発した新プロセスでは、従来のMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相成長)法に、同社が開発したPPD(Plasma assisted Physical Deposition：プラズマ物理気相成長)法を組み合わせることで、MOCVD法よりも高品質の窒化物半導体結晶の製造を可能にした。

　結晶性の評価法として一般的なXRC(X-ray Rocking Curve)法試験による半値幅の比較では、MOCVD法が約150arcsec、PPD法が50arcsecとなった。一般的に半値幅が小さいほうが結晶性が良いため、大幅に単結晶薄膜の品質が向上しているといえる。